CRAFT TF线圈项目取得又一里程碑进展

    11月16日，CRAFT项目TF磁体内部接头基于TF中场导体无背场测试样件顺利通过测试，这标志着 CRAFT TF磁体内部接头关键技术研究取得阶段性突破，为TF线圈项目的后续开展奠定坚实基础。

    作为CRAFT项目TF磁体制造的关键技术之一，内部接头承担了连接电回路和冷却回路的重要任务，直接影响整个超导磁体性能。内部接头位于磁体内部，因此要求内部接头的截面尺寸与导体的截面尺寸趋于一致，同时还需保证相当的机械强度和真空压力要求；同时由于磁体结构和接头本身的限制，内部接头一旦制作完成无法更换且很难维修，因此在正式生产前，需要制作一系列的试验件进行电学测试，保证接头可靠性的同时提高超导接头的电学性能。

    本次试验件为基于TF中场导体无背场测试样件，测试结果表明，去铬与未去铬内部接头电阻测试结果均优于“直流电阻＜0.3nΩ”的设计要求，其中去铬内部接头测试电阻平均值为0.04nΩ。本次样件的顺利测试通过也为验证和优化TF内部接头的设计和制造提供了有益参考。

测试样件

测试结果